- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录458 > IXFT340N075T2 (IXYS)MOSFET N-CH 75V 340A TO268
IXFH340N075T2
IXFT340N075T2
70
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
R G = 1 ? , V GS = 10V
70
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
R G = 1 ? , V GS = 10V
65
V DS = 37.5V
65
V DS = 37.5V
T J = 125oC
60
60
55
I
D
= 200A
55
50
I
D
= 100A
50
T J = 25oC
45
40
45
40
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
400
90
50
90
350
300
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC , V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 200A
80
70
45
40
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 37.5V
85
80
250
60
35
75
200
50
30
I D = 100A, 200A
70
150
100
50
0
I D = 100A
40
30
20
10
25
20
15
10
65
60
55
50
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
48
85
500
400
44
40
36
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 37.5V
80
75
70
450
400
350
300
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC , V GS = 10V
V DS = 37.5V
360
320
280
240
250
200
32
T J = 25oC, 125oC
65
200
I D = 200A
I D = 100A
160
28
24
20
60
55
50
150
100
50
0
120
80
40
0
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXFT400N075T2
MOSFET N-CH 75V 400A TO-268
IXFT40N30Q
MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
IXFT40N50Q
MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
IXFT42N50P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
IXFT4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
IXFT50N30Q3
MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
IXFT50N60P3
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
IXFT52N30Q
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
相关代理商/技术参数
IXFT36N50P
功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT36N60P
功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT400N075T2
功能描述:MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT40N30Q
功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT40N50Q
功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.14W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT42N50P2
功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT44N50P
功能描述:MOSFET 500V 44A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT44N50Q3
功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube